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Samsung inizia la produzione delle memorie RAM DDR3 a 20nm

Nelle scorse ore abbiamo appreso che Samsung ha deciso di iniziare la produzione in massa delle memorie RAM DDR3 ad un processo produttivo di 20 nm, il che favorirà la velocità e l’efficienza energetica delle stesse. Questa però sembra essere una decisione strana, in quanto nel prossimo futuro vedremo le nuove memorie RAM DDR4, realizzate sempre col processo produttivo a 20 nm, integrate nella nuova piattaforma Intel Haswell-E LGA 2011 (chipset X99).

samsung-memorie ram ddr3 20nm-ddr3

L’unica spiegazione che ci viene in mente è quella che in un certo senso Samsung voglia fare del “rodaggio” nella realizzazione di chip a questa misura (20 nm), così da non trovarsi poi impreparata quando sarà il momento di passare alle prossime DDR4. Grazie a questa nuova generazione di memorie, che potremmo definire una generazione di transizione, Samsung è riuscita ad abbassare notevolmente i consumi energetici: si parla addirittura di un -25%.

PowerConsumption

Inoltre, focalizzando la propria attenzione nella produzione di questa nuova tipologia di chip, Samsung ci fa capire di non credere ad un’alta richiesta di memorie DDR4 nelle prime battute in cui verranno prodotte e che quindi la diffusione di questo tipo di memorie sembra essere destinata a crescere solo nei prossimi due anni.

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